Home BSI SRAM 1M
BSI SRAM 1M

Асинхронная Статическая RAM 1Мбит

Семейство микросхем BS-серии асинхронной SRAM памяти объемом 1Мбит и с организацией 128Kx8бит или 64Kx16бит: BS62LV1027, BS616UV1010, BS616LV1010. Напряжение питания 2.4~5.5V или 1.9~3.6V. Быстродействие 55 ns или 70 ns при питании 2.4~5.5V, или 100ns при питании 1.9~3.6V.

Таблица микросхем SRAM памяти 1Mбит
 Наименование   Объем   Организация   Скорость   Питание   Температура   Корпус 
 BS62LV1027DC 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C DICE
 BS62LV1027PC 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C PDIP-32
 BS62LV1027SC 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C SOP-32
 BS62LV1027STC 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C STSOP-32
 BS62LV1027TC 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C TSOP-32
 BS62LV1027PI 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C PDIP-32
 BS62LV1027SI 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C SOP-32
 BS62LV1027STI 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C STSOP-32
 BS62LV1027TI 1M 128K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C TSOP-32
 BS616LV1010DC 1M 64K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C DICE
 BS616LV1010AC 1M 64K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C BGA-48-0608
 BS616LV1010EC 1M 64K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C TSOP II-44
 BS616LV1010AI 1M 64K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C BGA-48-0608
 BS616LV1010EI 1M 64K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C TSOP II-44
 BS616UV1010DC 1M 64K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V +0C to +70C DICE
 BS616UV1010AC 1M 64K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V +0C to +70C BGA-48-0608
 BS616UV1010EC 1M 64K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V +0C to +70C TSOP II-44
 BS616UV1010AI 1M 64K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V -40C to +85C BGA-48-0608
 BS616UV1010EI 1M 64K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V -40C to +85C TSOP II-44

 

ООО ЭЛЕКТРОСНАБ, Санкт-Петербург, тел./факс (812) 309-3477, (812) 380-1660