Home BSI SRAM 2M
BSI SRAM 2M

Асинхронная Статическая RAM 2Мбит

Семейство микросхем BS-серии асинхронной SRAM памяти объемом 2Mбит и с организацией 256Kx8бит или 128Kx16бит: BS62LV2006, BS616LV2016, BS616UV2019, BS616LV2019. Напряжение питания 2.4~5.5V или 1.9~3.6V. Быстродействие 55ns/70ns при питании 2.4~5.5V, или 85ns/100ns при питании 1.9~3.6V.

Таблица микросхем SRAM памяти 2Mбит
 Наименование   Объем   Организация   Скорость   Температура   Питание   Корпус 
 BS62LV2006DC 2M 256K X 8 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 5.5V DICE
 BS62LV2006SC 2M 256K X 8 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 5.5V SOP-32
 BS62LV2006STC 2M 256K X 8 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 5.5V STSOP-32
 BS62LV2006TC 2M 256K X 8 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 5.5V TSOP-32
 BS62LV2006SI 2M 256K X 8 55/70ns -40C to +85C 2.4V ~ 5.5V SOP-32
 BS62LV2006STI 2M 256K X 8 55/70ns -40C to +85C 2.4V ~ 5.5V STSOP-32
 BS62LV2006TI 2M 256K X 8 55/70ns -40C to +85C 2.4V ~ 5.5V TSOP-32
 BS616LV2016DC 2M 128K X 16 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 5.5V DICE
 BS616LV2016EC 2M 128K X 16 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 5.5V TSOP II-44
 BS616LV2016AI 2M 128K X 16 55/70ns -40C to +85C 2.4V ~ 5.5V BGA-48-0608
 BS616LV2016EI 2M 128K X 16 55/70ns -40C to +85C 2.4V ~ 5.5V TSOP II-44
 BS616LV2019DC 2M 128K X 16 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 3.6V DICE
 BS616LV2019AC 2M 128K X 16 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 3.6V BGA-48-0608
 BS616LV2019TC 2M 128K X 16 55/70ns +0C to +70C 2.4V ~ 3.6V TSOP I-48
 BS616LV2019AI 2M 128K X 16 55/70ns -40C to +85C 2.4V ~ 3.6V BGA-48-0608
 BS616LV2019TI 2M 128K X 16 55/70ns -40C to +85C 2.4V ~ 3.6V TSOP I-48
 BS616UV2019DC 2M 128K X 16 85/100ns +0C to +70C 1.9V ~ 3.6V DICE
 BS616UV2019AC 2M 128K X 16 85/100ns +0C to +70C 1.9V ~ 3.6V BGA-48-0608
 BS616UV2019TC 2M 128K X 16 85/100ns +0C to +70C 1.9V ~ 3.6V TSOP I-48
 BS616UV2019AI 2M 128K X 16 85/100ns -40C to +85C 1.9V ~ 3.6V BGA-48-0608
 BS616UV2019TI 2M 128K X 16 85/100ns -40C to +85C 1.9V ~ 3.6V TSOP I-48

 

ООО ЭЛЕКТРОСНАБ, Санкт-Петербург, тел./факс (812) 309-3477, (812) 380-1660