Home BSI SRAM 4M
BSI SRAM 4M

Асинхронная Статическая RAM 4Мбит

Семейство микросхем BS-серии асинхронной SRAM памяти объемом 4Mбит и с организацией 512Kx8бит или 256Kx16бит: BS62LV4006, BS616LV4017, BS616UV4016. Напряжение питания 2.4~5.5V или 1.8~3.6V. Быстродействие 55ns/70ns для микросхем с напряжением питания 2.4~5.5V, или 100ns при питании 1.8~3.6V.

Таблица микросхем SRAM памяти 4Mбит
 Наименование   Объем   Организация   Скорость   Питание   Температура   Корпус 
 BS62LV4006DC 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C DICE
 BS62LV4006EC 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C TSOP II-32
 BS62LV4006PC 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C PDIP-32
 BS62LV4006SC 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C SOP-32
 BS62LV4006STC 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C STSOP-32
 BS62LV4006TC 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C TSOP-32
 BS62LV4006EI 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C TSOP II-32
 BS62LV4006PI 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C PDIP-32
 BS62LV4006SI 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C SOP-32
 BS62LV4006STI 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C STSOP-32
 BS62LV4006TI 4M 512K X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C TSOP-32
 BS616LV4017DC 4M 256K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C DICE
 BS616LV4017AC 4M 256K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C BGA-48-0608
 BS616LV4017EC 4M 256K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C TSOP II-44
 BS616LV4017AI 4M 256K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C BGA-48-0608
 BS616LV4017EI 4M 256K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C TSOP II-44
 BS616UV4016DC 4M 256K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V +0C to +70C DICE
 BS616UV4016AC 4M 256K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V +0C to +70C BGA-48-0608
 BS616UV4016EC 4M 256K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V +0C to +70C TSOP II-44
 BS616UV4016AI 4M 256K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V -40C to +85C BGA-48-0608
 BS616UV4016EI 4M 256K X 16 100ns 1.9V ~ 3.6V -40C to +85C TSOP II-44

 

ООО ЭЛЕКТРОСНАБ, Санкт-Петербург, тел./факс (812) 309-3477, (812) 380-1660