Home BSI SRAM 8M
BSI SRAM 8M

Асинхронная Статическая RAM 8Мбит

Семейства микросхем BH/BS серий асинхронной SRAM памяти объемом 8Mбит и с организацией 1Mx8бит или 512Kx16бит: BH62UV8001, BH616UV8011, BS62LV8001, BS616LV8016, BS616LV8017. Напряжение питания 2.4~5.5V у BS-серии или 1.65~3.6V у BH-серии. Быстродействие 55ns/70ns для микросхем с напряжением питания 2.4~5.5V у BS-серии, или 55ns при питании 1.65~3.6V у BH-серии.

Таблица микросхем SRAM памяти 8Mбит
 Наименование   Объем   Организация   Скорость   Питание   Температура   Корпус 
 BH62UV8001DI 8M 1M X 8 55ns 1.65V ~ 3.6V -40C to +85C DICE
 BH62UV8001AI 8M 1M X 8 55ns 1.65V ~ 3.6V -40C to +85C BGA-48-0608
 BH616UV8011DI 8M 512K X 16 55/70ns 1.65V ~ 3.6V -40C to +85C DICE
 BH616UV8011AI 8M 512K X 16 55/70ns 1.65V ~ 3.6V -40C to +85C BGA-48-0608
 BH616UV8011TI 8M 512K X 16 55/70ns 1.65V ~ 3.6V -40C to +85C TSOP I-48
 BS62LV8001DC 8M 1M X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C DICE
 BS62LV8001EC 8M 1M X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C TSOP II-44
 BS62LV8001FC 8M 1M X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C BGA-48-0912
 BS62LV8001EI 8M 1M X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C TSOP II-44
 BS62LV8001FI 8M 1M X 8 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C BGA-48-0912
 BS616LV8016DC 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C DICE
 BS616LV8016FC 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C BGA-48-0912
 BS616LV8016FI 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C BGA-48-0912
 BS616LV8017DC 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C DICE
 BS616LV8017EC 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V +0C to +70C TSOP II-44
 BS616LV8017FI 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C BGA-48-0912
 BS616LV8017EI 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C TSOP II-44
 BS616LV8017FI 8M 512K X 16 55/70ns 2.4V ~ 5.5V -40C to +85C BGA-48-0912

 

ООО ЭЛЕКТРОСНАБ, Санкт-Петербург, тел./факс (812) 309-3477, (812) 380-1660